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銻化銦(InSb)薄膜磁敏電阻SMR芯片

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產(chǎn)品型號(hào)

品       牌

廠商性質(zhì)其他

所  在  地青島市

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商鋪產(chǎn)品:70條

所在地區(qū):山東青島市

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

銻化銦薄膜磁敏電阻是本公司的核心產(chǎn)品,是磁敏電阻類傳感器的核心敏感元件

詳細(xì)介紹

 銻化銦薄膜磁敏電阻是本公司的核心產(chǎn)品,是磁敏電阻類傳感器的核心敏感元件。其阻值R隨垂直通過它的磁通密度B的變化而變化。利用此特性可方便地以磁場(chǎng)為媒介,在非接觸情況下將位移、位置、轉(zhuǎn)速、角度等非電量轉(zhuǎn)變成電量,從而對(duì)非電量進(jìn)行測(cè)量和控制。

 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
 

      銻化銦薄膜磁敏電阻是本公司的核心產(chǎn)品,是銻化銦薄膜磁敏電阻類傳感器的核心敏感元件,它具有靈敏度高、可靠性高、性價(jià)比高、無接觸測(cè)量、頻響寬( 0 - 100kHz )、使用方便等特點(diǎn)。在如高速測(cè)量、角度控制、位置控制、信號(hào)跟蹤等領(lǐng)域,采用銻化銦薄膜磁敏電阻傳感器常常是理想的解決方案。

 

工作原理


      銻化銦薄膜磁敏電阻是利用銻化銦薄膜的磁阻效應(yīng)而制作的一種新型敏感元件,它的阻值R隨垂直通過它的磁通密度B的變化而變化:B<0.1T時(shí),R∝;B>0.1T時(shí)R∝B;B=0.3T時(shí)>2.0,如下圖所示。利用此特性可方便地以磁場(chǎng)為媒介在非接觸的情況下將非電量(如位移、位置、轉(zhuǎn)速、角位移、壓力、加速度等等)轉(zhuǎn)變成電量,從而對(duì)非電量進(jìn)行測(cè)量和控制。

 

 

產(chǎn)品內(nèi)部芯片構(gòu)成圖


      銻化銦薄膜磁敏電阻的生產(chǎn)采用的薄膜生產(chǎn)及平面光刻工藝,其圖形、尺寸、阻值可根據(jù)需要靈活設(shè)計(jì)。我公司現(xiàn)有磁敏電阻產(chǎn)品如下:


 

 

產(chǎn)品型號(hào)及參數(shù)

 

型號(hào)

尺寸(mm)

阻值(Ω)

靈敏度

工作溫度

工作電流

不對(duì)稱性

MR-L-1

3.8×1.8

1×(100~2000)

> 2.0

-20~80℃

< 15mA

 

MR-L-2A

4.5×3.5

2×(300~3000)

> 2.0

-20~80℃

< 15mA

< 10%

MR-L-2B

3.0×2.5

2×(300~3000)

> 2.0

-20~80℃

< 15mA

< 10%

MR-L-2C

7.6×1.8

2×(300~3000)

> 2.0

-20~80℃

< 15mA

< 10%

MR-L-4

4.6×4.0

4×(300~3000)

> 2.0

-20~80℃

< 15mA

< 10%

MR-R-2

5.0×4.0

2×(800~3000)

> 2.0

-20~80℃

< 15mA

< 10%

 

產(chǎn)品特點(diǎn)


       無接觸測(cè)量  體積微小
       高信躁比  高可靠性
       頻響寬(0-100kHz)

 


參數(shù)含義

 

典型磁敏電阻芯片實(shí)例

 

技術(shù)服務(wù)
 

       1、本公司可根據(jù)用戶的要求訂制各種規(guī)格的銻化銦薄膜磁敏電阻,并組裝成傳感器。
       2、本產(chǎn)品的封裝及引腳方式可根據(jù)用戶的要求而設(shè)計(jì)。

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