江蘇億通高科技股份有限公司
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更新時間:2024-01-13 09:54:25瀏覽次數(shù):144次
聯(lián)系我時,請告知來自 百分零部件網(wǎng)樓道型光接收機(jī) YTOR175STH系列
YTOR175STH室內(nèi)型光接收機(jī)適合于HFC光纖到樓道工程應(yīng)用。射頻基板按1000MHz傳輸帶寬設(shè)計,輸出級采用砷化鎵功率倍增模塊或砷化鎵MMIC芯片輸出,具有1~2路高電平輸出。恒定輸出電平可達(dá)112dBuV(模塊型)、108dBuV(芯片型),本機(jī)具有光控AGC自動電平控制功能,可根據(jù)用戶要求配置EOC數(shù)據(jù)信號通道。
性能特點(diǎn)
?選用高響應(yīng)度PD光檢波器, 前級采用極低噪聲系數(shù)的射頻放大,在低功率接收時具有優(yōu)異的CNR指標(biāo)。
?輸出級采用砷化鎵功率倍增模塊或砷化鎵MMIC芯片,輸出電平100~112dBuV可選。
?具有光控AGC功能,輸出電平恒定;常規(guī)光控AGC范圍為-7~+2dBm,具體可根據(jù)用戶要求。
?具有單路、兩路分配輸出規(guī)格可選。
?具有輸入光功率LED分段或數(shù)碼管顯示功能,方便用戶安裝調(diào)試及工程維護(hù)。
?可根據(jù)用戶要求配置EOC數(shù)據(jù)信號通道。
?產(chǎn)品預(yù)留網(wǎng)管應(yīng)答器接口,接口遵循SCTE HMS網(wǎng)管標(biāo)準(zhǔn)及IEC網(wǎng)管標(biāo)準(zhǔn)。
配置說明
?YTOR175STH-1型: 砷化鎵MMIC芯片輸出,輸出電平達(dá)104dBuV。
?YTOR175STH-2型: 砷化鎵功率倍增模塊輸出,輸出電平達(dá)112dBuV。
?YTOR175STH-3B型:砷化鎵MMIC芯片輸出,輸出電平達(dá)108dBuV。
?YTOR175STH-3D型:砷化鎵功率倍增模塊輸出,輸出電平達(dá)112dBuV。
?YTOR175STH-4型: 砷化鎵MMIC芯片輸出,輸出電平達(dá)94dBuV。
物理尺寸
?YTOR175STH-1型:150*110*33mm
?YTOR175STH-2型:170*150*62mm
?YTOR175STH-3B型:160*123*40mm
?YTOR175STH-3D型:160*156*45mm
?YTOR175STH-4型:130*100*33mm
項 目 | 單位 | 性能參數(shù) | |
1 | 工作波長 | nm | 1200~1610 |
2 | 接收光功率范圍 | dBm | -9~+3 |
3 | 光控AGC范圍 | dB | -7~+2 |
4 | 光連接器形式 |
| SC/APC,F(xiàn)C/APC 可選 |
5 | 光反射損耗 | dB | ≥50 |
6 | 等效輸入噪聲電流 | PA | ≤7 |
7 | 工作頻率范圍 | MHz | 47(85)~862,47(85)~1000 可選 |
8 | 帶內(nèi)平坦度 | dB | ±0.75 |
9 | 射頻輸出電平 | dBuV | 模塊輸出型:≥112 |
芯片輸出型:≥108 | |||
10 | 射頻輸入阻抗 | Ω | 75 |
11 | 射頻反射損耗 | dB | ≥16 |
12 | 系統(tǒng)載噪比(C/N) | dB | ≥52(-1dBm接收時) |
13 | 系統(tǒng)載波組合三階差拍比(C/CTB) | dB | ≥65 |
14 | 系統(tǒng)載波組合二階差拍比(C/CSO) | dB | ≥63 |
15 | 工作電壓 | V | 135~270或35~90 |
16 | 整機(jī)功耗 | W | 模塊輸出型:18 |
芯片輸出型:10 | |||
17 | 工作溫度 | ℃ | -30℃~+55℃ |
18 | 儲存溫度 | ℃ | -40℃~+70℃ |
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