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盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司


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Post-CMP清洗設(shè)備

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產(chǎn)品型號

品       牌

廠商性質(zhì)其他

所  在  地上海市

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更新時間：2023-08-11 23:13:53瀏覽次數(shù)：158次

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經(jīng)營模式：其他

商鋪產(chǎn)品：15條

所在地區(qū)：上海上海市

產(chǎn)品簡介

盛美上海的Post-CMP設(shè)備用于制造高質(zhì)量襯底化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)工藝之后的清洗，有濕進(jìn)干出（WIDO）和干進(jìn)干出（DIDO）兩種配置。該清洗設(shè)備6英寸和8英寸的配置適用于碳化硅（SiC）襯底制造；8英寸和12英寸配置適用于硅片制造。

詳細(xì)介紹

Post-CMP清洗設(shè)備

  

主要優(yōu)勢

在CMP步驟之后，需要在低溫下使用稀釋的化學(xué)品進(jìn)行物理預(yù)清洗工藝，以減少顆粒數(shù)量。盛美上海的Post-CMP清洗設(shè)備能夠滿足這些要求，并提供多種配置，包括盛美上海自主研發(fā)的 Smart MegasonixTM*清洗技術(shù)。
 


特性和規(guī)格（Ultra C WPN（WIDO））

在線預(yù)清洗設(shè)備：
　　　　可實現(xiàn)37納米以下少于15個剩余顆粒或28納米以下
　　　　20-25個剩余顆粒
　　　　金屬污染可控制在1E+8（原子/平方厘米）以內(nèi)
　　　　當(dāng)配置4個腔體的時候，產(chǎn)能可達(dá)每小時35片晶圓

 

離線預(yù)清洗設(shè)備：
　　　　可實現(xiàn)37納米以下少于15個剩余顆粒或28納米以下
　　　　20-25個剩余顆粒
　　　　占地面積小




特性和規(guī)格（Ultra C WPN（DIDO））

可配置四個裝載端口

占地面積小

可配置四或六個腔體，分別為兩個軟刷和兩個清洗腔體或兩個軟刷和四個清洗腔體

可實現(xiàn)37納米以下少于15個剩余顆粒或28納米以下20-25個剩余顆粒

產(chǎn)能可達(dá)每小時60片晶圓

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