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DKDG3系列單項(xiàng)進(jìn)線電抗器

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產(chǎn)品簡介

加正向電壓時(shí)，可以有較大的正向擴(kuò)散電流，即呈現(xiàn)低電阻，我們稱導(dǎo)通；加反向電壓時(shí)，只有很小的反向漂移電流，呈現(xiàn)高電阻，我們稱截止。這就是的DKDG3系列單項(xiàng)進(jìn)線。

詳細(xì)介紹

加正向電壓時(shí)，可以有較大的正向擴(kuò)散電流，即呈現(xiàn)低電阻，我們稱導(dǎo)通；加反向電壓時(shí)，只有很小的反向漂移電流，呈現(xiàn)高電阻，我們稱截止。這就是的。

在p-n結(jié)勢壘區(qū)中總是或多或少地存在一些復(fù)合中心（由的雜質(zhì)、缺陷所造成）。在正向電壓下，即有大量載流子通過勢壘區(qū)，則這些復(fù)合中心就將要復(fù)合載流子而產(chǎn)生額外的所謂復(fù)合電流；于是，在總的正向電流中就需要加上這部分復(fù)合電流。不過，對于Si-，復(fù)合電流一般所占的比例較小，只有在小電流時(shí)，復(fù)合電流才顯得突出而重要。（BJT在小電流時(shí)的電流放大系數(shù)較低，其主要原因就是發(fā)射結(jié)復(fù)合電流的影響。在反向電壓下，勢壘區(qū)中加缺乏載流子，則勢壘區(qū)中的復(fù)合中心將要產(chǎn)生出額外的載流子和相應(yīng)的反向電流。因此，總的反向電流就包含有擴(kuò)散電流和產(chǎn)生電流兩個(gè)成分。

電路對每個(gè)導(dǎo)電回路進(jìn)行控制，與單相橋式半控整流電路相比，不會失控現(xiàn)象，負(fù)載形式多樣，整流效果好，波形平穩(wěn)，應(yīng)用廣泛。正負(fù)兩個(gè)半周電流方向相反且波形對稱，平均值為零，即直流分量為零，不存在變壓器直流磁化問題，變壓器的利用率也高。

單項(xiàng)進(jìn)線具有輸出電流脈動小，功率因數(shù)高，變壓器二次電流為兩個(gè)等大反向的半波，沒有直流磁化問題，變壓器利用率高的優(yōu)點(diǎn)。

單項(xiàng)進(jìn)線其輸出平均電壓是半波整流電路2倍，在相同的負(fù)載下流過晶閘管的平均電流減小一半，且功率因數(shù)提高了一半。

正偏

加正向電壓（正偏）——電源正極接P區(qū)，負(fù)極接N區(qū)

外電場的方向與內(nèi)電場方向相反。

外電場削弱內(nèi)電場→耗盡層變窄→擴(kuò)散運(yùn)動>>漂移運(yùn)動→多子擴(kuò)散形成正向電流（與外電場方向一致）IF

反偏

加反向電壓（反偏）——電源正極接N區(qū)，負(fù)極接P區(qū)

外電場的方向與內(nèi)電場方向相同。

外電場加強(qiáng)內(nèi)電場→耗盡層變寬→漂移運(yùn)動>>擴(kuò)散運(yùn)動→少子漂移形成反向電流IR