SKM200GAR123DSKM200GAR123D

西門(mén)康IGBT模塊---------深圳市邁瑞斯有限公司

SKM200GAR123D PDF中文資料，datasheet詳細(xì)參數(shù)，中文參數(shù)，操作方案，進(jìn)口*現(xiàn)貨價(jià)格，產(chǎn)品庫(kù)存狀況。（如有需要 敬請(qǐng)“邁瑞斯"，可提供）

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西門(mén)康優(yōu)勢(shì)：

37% 為賽米控在二極管和晶閘管半導(dǎo)體模塊市場(chǎng)所占份額。賽米控是二極管/晶閘管模塊市場(chǎng)的*。

成熟的封裝設(shè)計(jì)可用于各類(lèi)應(yīng)用，例如用于可再生能源的逆變器和電源。*的使用壽命*切合了技術(shù)要求較高的應(yīng)用，例如交流驅(qū)動(dòng)，開(kāi)關(guān)磁阻和直流電機(jī)。

SEMITRANS系列IGBT/MOSFET模塊適用于非常廣泛的各種各樣的應(yīng)用，如開(kāi)關(guān)，AC逆變驅(qū)動(dòng)，DC伺服驅(qū)動(dòng)以及機(jī)器人驅(qū)動(dòng)，UPS，電焊機(jī)，開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)，DC/DC ,DC斬波，剎車(chē)斬波， 模塊電流范圍是35-900A，電壓等級(jí)有600V/1200V/1700V。

IGBT/MOSFET模塊有多種優(yōu)勢(shì)，如低電感封裝設(shè)計(jì)，高絕緣耐壓值以及廣泛的客戶訂制化的解決方案和封裝類(lèi)型。

西門(mén)康部分型號(hào)參考：

SEMiX503GD126HDc

SEMiX603GAL066HDs

SEMiX603GAR066HDs

SEMiX603GB066HDs

SEMiX604GAL12E4s

SEMiX604GAR12E4s

SEMiX604GB126HDs

SEMiX604GB12E4s

SEMiX604GB12Vs

SEMiX604GB176HDs

SEMiX653GAL176HDs

SEMiX653GAR176HDs

SEMiX653GB176HDs

SEMiX653GD176HDc

SEMiX703GAL126HDs

SEMiX703GAR126HDs

SEMiX703GB126HDs

SEMiX703GD126HDc

SEMiX854GB176HDs

SEMiX904GB126HDs

SK100B16

SK100GB066T

SK100GB12T4T

SK100GD066T

SK100GD126T

SK100GD12T4T

SK100GH12T4T

SK100KQ12

SK100KQ16

SK100MLI066T