2MBI100N-1202MBI100N-120

2MBI100N-120--深圳市邁瑞斯有限公司

2MBI100N-120 品牌：富士（FUJI）

產(chǎn)地：日本進(jìn)口

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類型：IGBT功率模塊/IGBT智能模塊

經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品：

●功率模塊:

GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、整流橋

（電流25A-3600A）（600V/1200V/1700V/3300V6500V）；

●LEM/ Honeywell霍爾傳感器、電流傳感器、電壓傳感器；

●*級(jí)器件：

多芯片模塊，模擬和混合信號(hào)邏輯芯片，級(jí)數(shù)字光耦和模擬輸出光耦，光電耦合器，發(fā)光二極管；

●集成電路（IC）、二三極管、場(chǎng)效應(yīng)管；

●電阻電容：

大制動(dòng)電阻、功率電阻、保護(hù)電阻、緩沖電阻以及貼片電阻；

鉭電容、鋁電容，電解電容、吸收電容、薄膜電容、西門(mén)子電容以及貼片電容；

經(jīng)營(yíng)品牌：

德/歐系：西門(mén)子（SIEMENS）、英飛凌(Infineon)、優(yōu)派克（eupec）、西門(mén)康(SEMIKRON)、 ABB、萊姆（LEM)、愛(ài)普科斯(EPCOS)、

美系：國(guó)半（NS）、整流器（IR）、美信（MAXIM）、安森美（ON）、意法半導(dǎo)體（ST）、德州儀器（TI) 、霍尼韋爾（Honeywell）、仙童（FSC）、

日系：三菱(MITSUBISHI)、日立(HITACHI)、歐姆龍（OMRON）、TDK、紅寶石( Rubycon)；

韓系：三星（SAMSUNG）；

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現(xiàn)貨庫(kù)存：

http://www.gsigbt.com/

型號(hào)參考

1MBI200N-120

1MBI300N-120

1MBI300S-120

1MBI400N-120

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2MBI200PB-140

隔離柵雙極性晶體管（IGBT）正日益廣泛地應(yīng)用于小體積，低噪音，高特性的電源，逆變器，不間斷電源（UPS）以及電機(jī)速度控制裝置之中。  用于IGBT的富士混合IC驅(qū)動(dòng)器吸取了IGBT的全部?jī)?yōu)點(diǎn)而開(kāi)發(fā)。  二． 特點(diǎn)  n 不同的系列  標(biāo)準(zhǔn)系列：zui大10kHz運(yùn)行 高速系列：zui大40kHz運(yùn)行 這些系列包括了全部IGBT產(chǎn)品范圍  n 內(nèi)裝用于高隔離電壓的光耦合器：2500VAC一分鐘 n 單供電操作 n 內(nèi)裝過(guò)流保護(hù)電路 n 過(guò)流保護(hù)輸出  n 高密度安裝的SIL封裝產(chǎn)品型號(hào)